Ferromagnetická vrstva silná právě jeden atom může výraznět zlepšit zejména paměťové elektronické prvky. Tvoří ji oxid zinečnatý ZnO, v němž některé atomy zinku Zn nahrazuje kobalt Co.
Ferromagnetická vrstva silná právě jeden atom může výraznět zlepšit zejména paměťové elektronické prvky. Tvoří ji oxid zinečnatý ZnO, v němž některé atomy zinku Zn nahrazuje kobalt Co.
Nejnovější komentáře