Neobvykle se při vysokém tlaku začne chovat monomolekulární krystalická vrstva jodidu chromitého, což možná půjde využít v nových, lepších paměťových mediích.
Ferromagnetická vrstva silná právě jeden atom může výraznět zlepšit zejména paměťové elektronické prvky. Tvoří ji oxid zinečnatý ZnO, v němž některé atomy zinku Zn nahrazuje kobalt Co.
Tento obsah uvidíte, pouze pokud máte předplatné na 1 rok. Objednat
Nejnovější komentáře